4英寸碳化硅基氮化镓外延片生产商 定制结构

4英寸碳化硅基氮化镓外延片生产商 定制结构

苏州恒迈瑞材料公司支持定制4英寸碳化硅基氮化镓外延片，应用于RF HEMT微波射频电子器件等。

产品尺寸为4英寸及6英寸SiC基GaN外延片，使用半绝缘500um厚SiC碳化硅衬底，氮化镓缓冲层厚度1.8um，氮化铝间隔层1nm
GaN氮化镓材料大的禁带宽度，使得其制备的功率器件可以在没有复杂设计的散热装置的辅助下正常工作，这样可以大幅降低电力电子设备的体积和成本。又因为击穿电场强度与能带的平方成正相关，GaN氮化镓材料的击穿电压理论上可达到大于3 MV/cm的水平，远大于Si和GaAs。此外，GaN材料同时还拥有非常**的电子传输特性，其中包括更高的迁移率，更大的饱和漂移速度。