GaN氮化镓衬底片生产厂商 自支撑衬底片

GaN氮化镓衬底片生产厂商 自支撑衬底片
恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸氮化镓衬底片材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。氮化镓复合衬底有2英寸和4英寸，衬底结构为GaN on Sapphire。

当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带（WBG）半导体材料时，都会不约而同地想到氮化镓(GaN)材料或碳化硅材料(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电子应用中较先进的宽禁带技术。市场研究公司Yole Développement在其报告中指出，电力电子应用材料碳化硅、氮化镓和其他宽禁带材料具有一个更大的带隙，可以进一步提高功率器件性能。